» » Предложен квантовый суперконденсатор, между электродами которого располагается наноструктурированный материал, состоящий из кластеров с туннельно прозрачными оболочками.

Реферат на тему Предложен квантовый суперконденсатор, между электродами которого располагается наноструктурированный материал, состоящий из кластеров с туннельно прозрачными оболочками.


Прямо сейчас вы можете бесплатно скачать реферат на тему Предложен квантовый суперконденсатор, между электродами которого располагается наноструктурированный материал, состоящий из кластеров с туннельно прозрачными оболочками., который относится к предмету: Остальные рефераты. Данный реферат проверен и содержит действительно полезную и нужную информацию, которая поможет вам сдать его на отлично!


PCT/EA02/0006 "QUANTUM SUPERCAPACITOR" (13 claims), WO03/003466 A1. Евразийский патент №003852.

КВАНТОВЫЙ СУПЕРКОНДЕНСАТОР

Реферат

Предложен квантовый суперконденсатор, между электродами которого располагается наноструктурированный материал, состоящий из кластеров с туннельно прозрачными оболочками. Кластеры имеют такие размеры, при которых проявляются резонансные свойства электрона и лежат в интервале 7.2517нм < r < 29.0068нм

Эти размеры определяется кольцевым радиусом волны электрона согласно формуле , где - постоянная Планка, me – масса электрона, a = 1/137,036 – постоянная тонкой структуры, с – скорость света. Размер кластера задается в пределах от r0 до 4r0 , причем толщина туннельно прозрачного промежутка не превышает r0. = 7.2517нм.

Накопление энергии в квантовом суперконденсаторе осуществляется за счет управляемого пробоя наноструктурированного материала – диэлектрика, с последующим его восстановлением. Энергия храниться равномерно по всему объему наноструктурированного материала за счет резонансного спаривания электронов на кластере. Предельная удельная энергия, накапливаемая в конденсаторе, составляет 1.66 МДж/кг.

Область техники

Изобретение относится к области электроники и электротехники и может быть использовано в производстве конденсаторов для создания элементов (ячеек) памяти для интегральных микросхем, в высокодобротных контурах, в развязывающих элементах и в резервных источниках питания. Кроме того, они могут использоваться как источники тока для мобильных средств связи, в энергоустановках электромобилей, а также для буферного накопления электрической энергии с высокой удельной плотностью порядка 1 – 1,5 МДж/кг.

Уровень техники .


Другие рефераты


  • Рейтинг@Mail.ru
  • Яндекс.Метрика